Sumitomo startet 150mm GaN-on-SiC-Produktion mit Planetenanlage von AIXTRON
AIXTRON SE (FSE: AIXA; OTC: AIXNY), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass der japanische Konzern Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI) eine Anlage des Typs AIX G5+ mit einer Konfiguration von 8×6-Zoll zur Ausweitung seiner Produktion von Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf GaN-on-SiC-Basis (Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid) bestellt hat. Diese werden vor allem fürRead more about Sumitomo startet 150mm GaN-on-SiC-Produktion mit Planetenanlage von AIXTRON[…]