Der neue InGaAs-Lawinenfotodioden-Chip von ANDANTA mit 200µm aktivem Chip-Durchmesser ist sowohl im linearen als auch im “gequetschten” Modus für die Photonenzählung betreibbar. Typischerweise wird die InGaAs-APD bei einer Betriebsspannung von 35 bis 50 V mit einem Multiplikationsfaktor von M = 10 betrieben. Die Durchbruchsspannung beträt max. 55V. Die sehr zuverlässige, planare InGaAs-APD deckt einen SpektralbereichRead more about lnGaAs-Lawinenfotodioden-Chip[…]